首页

AD联系:507867812

澳门赌场门口的对联

时间:2019-12-08 22:13:17 作者:快来捕鱼怎么解绑微信 浏览量:45922

澳门赌场门口的对联

  驱动电路的设计

  3、驱动电路能够提供足够大的驱动电流

  2、随着门极电压的升高,导通电阻越小,表现更接近于压控电阻。

,见下图

  2、随着门极电压的升高,导通电阻越小,表现更接近于压控电阻。

,见下图

  7、驱动电路峰值电流Imax要更大,减小米勒平台的持续时间,提高开关速度。

  三、SIC MOSFET驱动电路设计

,如下图

  6、开通电压高于高于SI器件,推荐使用Vgs为18V或者20V,虽然开启电压只有2.7V,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。

如下图

,如下图

  4、驱动电路能够提供足够大的驱动电压,减小SIC MOSFET的导通损耗。

,见图

澳门赌场门口的对联

  一、SIC MOSFET的特性

  三、SIC MOSFET驱动电路设计

  6、开通电压高于高于SI器件,推荐使用Vgs为18V或者20V,虽然开启电压只有2.7V,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。

  6、开通电压高于高于SI器件,推荐使用Vgs为18V或者20V,虽然开启电压只有2.7V,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。

  6、开通电压高于高于SI器件,推荐使用Vgs为18V或者20V,虽然开启电压只有2.7V,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。

  SIC MOSFET电源的设计,根据其特性,需要有负压关断和相比SI MOSFET较高的驱动电压,一般设计电源为-6V~+22V,根据不同厂家的不同Datasheet大家选择合适的电源正负电压的设计,这里只给出一个笼统的设计范围。可以将IGBT模块驱动电源进行稍微修改使用在这里,比如,特斯拉在分立IGBT和SIC IGBT上都是用反激电源,具体电路参考历史文章中对特斯拉Model S 与Model 3的硬件对比分析中,也可以使用电源模块,比如国内做的比较好的金升阳的电源模块,可以降低设计难度,但成本也会相应的升高。

  对于有IGBT驱动电路设计经验的工程师来说,SIC MOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似,可以在原来的驱动电路上进行修改参数进行设计。

SIC MOSFET 驱动电路设计概述  二、SIC MOSFET对驱动的要求

  驱动电路的设计

  6、驱动电路整个驱动回路寄生电感要小,驱动电路尽量靠近功率管。

澳门赌场门口的对联  2、驱动回路的阻抗不能太大,开通时快速对栅极电容充电,关断时栅极电容能够快速放电。

图1  ST公司SIC MOSFET参数

  SIC MOSFET电源的设计,根据其特性,需要有负压关断和相比SI MOSFET较高的驱动电压,一般设计电源为-6V~+22V,根据不同厂家的不同Datasheet大家选择合适的电源正负电压的设计,这里只给出一个笼统的设计范围。可以将IGBT模块驱动电源进行稍微修改使用在这里,比如,特斯拉在分立IGBT和SIC IGBT上都是用反激电源,具体电路参考历史文章中对特斯拉Model S 与Model 3的硬件对比分析中,也可以使用电源模块,比如国内做的比较好的金升阳的电源模块,可以降低设计难度,但成本也会相应的升高。

  5、开关损耗小,可以进行高频开关动作,使得滤波器等无源器件小型化,提高功率密度。

1.

  4、驱动电路能够提供足够大的驱动电压,减小SIC MOSFET的导通损耗。

图1  ST公司SIC MOSFET参数

  对于有IGBT驱动电路设计经验的工程师来说,SIC MOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似,可以在原来的驱动电路上进行修改参数进行设计。

  2、驱动回路的阻抗不能太大,开通时快速对栅极电容充电,关断时栅极电容能够快速放电。

  7、误触发耐性稍差,需要有源钳位电路或者施加负电压防止其误触发。

图1  ST公司SIC MOSFET参数

  7、驱动电路峰值电流Imax要更大,减小米勒平台的持续时间,提高开关速度。

2.  驱动电源的设计

  驱动电源的设计

  SIC MOSFET电源的设计,根据其特性,需要有负压关断和相比SI MOSFET较高的驱动电压,一般设计电源为-6V~+22V,根据不同厂家的不同Datasheet大家选择合适的电源正负电压的设计,这里只给出一个笼统的设计范围。可以将IGBT模块驱动电源进行稍微修改使用在这里,比如,特斯拉在分立IGBT和SIC IGBT上都是用反激电源,具体电路参考历史文章中对特斯拉Model S 与Model 3的硬件对比分析中,也可以使用电源模块,比如国内做的比较好的金升阳的电源模块,可以降低设计难度,但成本也会相应的升高。

3.

4.

  6、开通电压高于高于SI器件,推荐使用Vgs为18V或者20V,虽然开启电压只有2.7V,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。

  1、触发脉冲有比较快的上升速度和下降速度,脉冲前沿和后沿要陡。

  1、导通电阻随温度变化率较小,高温情况下导通阻抗很低,能在恶劣的环境下很好的工作。

  3、驱动电路能够提供足够大的驱动电流

  4、具有更小的结电容,关断速度较快,关断损耗更小。

  2、驱动回路的阻抗不能太大,开通时快速对栅极电容充电,关断时栅极电容能够快速放电。

。澳门赌场门口的对联

展开全文
相关文章
大发88大发88

ag真人秀线上注册开户

  驱动电路的设计

....

平博体育论坛

  4、具有更小的结电容,关断速度较快,关断损耗更小。

....

亚游贵宾厅

....

大发888娱乐经典版

....

相关资讯
热门资讯